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從下水道到無塵室:西方清潔史的變遷
2017.12.29

文章来源:http://gx.sina.com.cn/news/hangye/2016-08-29/detail_hy-ifxvixer7402768.shtml

  廠商爭相投資,3DNANDFlash前景不妙?據傳三星電子平澤廠(Pyeongtaek)將提前投產,SK海力士(SKHynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)產能也將于明年下半全面開出,屆時3DNAND可能會從供不應求、呈現供給過剩的狀況。  BusinessKorea6日報道,NAND需求爆發,據悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月,改在明年三、四月開始生產第四代64層3DNAND。三星平澤廠完工,加上原本的華城(Hwaseong)廠,屆時三星3DNAND產能將從當前水準提高兩倍、至32萬片。  SK海力士也準備生產3DNAND,仁川廠M14線無塵室正在裝設儀器,估計第二代36層3DNAND可在今年第二季出貨、第三季量產。第四季將加碼投資第三代48層3DNAND,估計未來3DNAND將占SK海力士產出的一半。  與此同時,大陸廠商武漢新芯也打算砸下巨資打造新廠,該公司與美商Spansion共同研發3DNAND。日廠東芝則與WesternDigital(西部數據)攜手,準備量產3DNAND。  韓媒etnews4日報道,業界消息稱,NANDFlash價格一路向上,三星決定平澤廠將提前三個月投產。目前平澤廠的建筑工事進入尾聲,正修筑工廠外墻,預料12月完工,緊接著要開始設備投資,購買無塵室設施和晶圓生產儀器等。  多名設備業人士表示,三星若想在2017年初裝設備儀器,現在就得下單,據稱三星不久后就會開始發出訂單。外界預料,平澤廠將名為18代線,明年第二季季初或季中開始營運,負責生產第四代64層3DNANDFlash。第一階段每月產量為4~5萬片12寸晶圓,約為18代線總產量的1/4(總產量為20萬片)。估計第一階段投資金額為27.2~31.7億美元(181.4億~211.4億人民幣)。  韓國媒體朝鮮日報日文版報道,三星8月11日宣布,第4代V-NANDFlash(3DNAND)產品將在2016年Q4(10-12月)開賣,該款產品將采64層堆疊。三星指出,借由采用64層堆疊技術,每片晶圓的儲存容量可較現行技術提高30%、能有效改善成本競爭力。  三星為全球第一家量產3DNAND的廠商,于2013年研發出堆疊24層的3DNAND之后,就逐步將技術升級至32層、48層,此次則進一步提升至64層。  東芝7月27日發布新聞稿宣布,已研發出堆疊64層的3DNAND制程技術,并自當日起領先全球同業開始進行樣品出貨,且預計將透過甫于7月完工的四日市工廠新第2廠房進行生產。

關鍵字標籤:無塵室管理規劃

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